提供最佳的效率和操作与快速开关，低FOM，和一个简单的门电路。

在TO-220AB封装中提供第四代E系列技术。

提供低值和低有效电容。

为系统电源DC/DC应用提供了一种优化的PWM设计。

采用第四代E系列技术，降低开关损耗和导通损耗。

提供了一种改进的门，具有雪崩和动态dV/dt坚固性。

Vishay/Siliconix提供SIRA20DP 25 V, 0.58米欧姆n沟道MOSFET提供最低最高RDS(上)

具有低价值值，低有效电容，降低开关和导通损耗。

采用TrenchFET Gen IV功率MOSFET技术，具有非常低的RDS Qg FOM。

采用TrenchFET Gen IV功率MOSFET技术在PowerPAK 1212-8单封装。

PowerPAK 1212-8单包提供，并实现TrenchFET Gen IV技术。

Vishay的MOSFET可以节省空间，提高汽车开关电源的效率

Vishay的MOSFET在PowerPAK 1212 8S封装中提供的RDS(ON)降至0.95 毫欧和改进的FOM为29.8 毫欧*nC

提供低价值数字，低输入电容和超低门极电荷。